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锑化铟晶片InSb

锑化铟晶片InSb

北京特博万德供应2寸和3寸的锑化铟InSb晶片。
InSb单晶电子迁移率高，是良好的红外探测器件、霍耳器件、磁阻器件的衬底材料。例如，对应于大气透射窗口3～5μm波段的成像器件和InSb焦平面阵列器件。
另外在电荷注入器件方面，InSb器件的位数已达128×128阵列。3～5μm波段InSb光伏探测器作为敏感元件组成的混成焦平面阵列也得到很大发展，并已作成元数较多的两维阵列。

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商品描述

北京特博万德供应2寸和3寸的锑化铟InSb晶片。
InSb单晶电子迁移率高，是良好的红外探测器件、霍耳器件、磁阻器件的衬底材料。例如，对应于大气透射窗口3～5μm波段的成像器件和InSb焦平面阵列器件。
另外在电荷注入器件方面，InSb器件的位数已达128×128阵列。3～5μm波段InSb光伏探测器作为敏感元件组成的混成焦平面阵列也得到很大发展，并已作成元数较多的两维阵列。

Growth Method

VGF

Type/Dopant

Un

N/S/Sn

P/Zn

Diameter

2inch/3inch

Orientation

100

Surface

Polished/Etched

Epi-ready

Yes

Package

single

Size

2inch

3inch

Diameter（mm）

50.8±0.3

76.2±0.3

Thickness(um)

500±25

650±25

OF(mm)

16±2

22±2

IF(mm)

8±2

12±2

TTV(um)

<10

<15

BOW(um)

<15

<15

Warp(um)

<15

<15

Electrical parameters

Dopant

Conduct Type

Ingot CC(/cm3)

Mobility (cm2/v.s)

Resistivity (Ω·cm)

EPD(/cm3)

Undoped

N

（5-10）E13

（0.5-2）E5

/

≤200or≤500

Te

N

（1-1000）E14

（0.2-1）E5

/

≤200or≤500

Ge

P

（0.5-5）E15

4000-8000

/

≤200or≤500