氧化膜SiO2
低应力氮化膜SiN
镀膜工艺
标准热氧化工艺,可提供PECVD工艺;
标准LPCVD工艺,可提供PECVD工艺;
镀膜基底
硅片、石英玻璃、蓝宝石片等;
SiO2厚度
15 nm、25nm、50nm、100nm、120nm、150nm、200nm、300nm、500nm,1um、2um、3um、6um.......
SiN厚度
50 nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、1um.......
表面
单面氧化、双面氧化;
单面氮化、双面氮化;
基底尺寸
6英寸向下兼容,部分8英寸和12英寸;
6英寸向下兼容;8英寸和12英寸~500nm
粗糙度
选用高平整度基底,镀膜均匀性高,整体粗糙度好;
平整度
高平整度,质量高,适用多种用途。
6英寸向下兼容;8英寸,12英寸
选用超高平整度基底,镀膜均匀性高,整体粗糙度好;
超高平整度,质量高,适用多种用途。